看是什么结构的字_看是什么结构的字

看看这个词的结构。据金融行业2024年3月13日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司已获得授权公告号CN110911416B，名称为《集成电路器件及制造方法》，具有2019年申请日期。当年6月。专利摘要显示一种集成电路元件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔以及电荷捕捉图案。字线结构与绝缘结构彼此缠绕。

根据结构的不同，晶体管结构包括覆盖第一沟槽内壁的栅极层和位于栅极层内的有源结构。形成沿第二方向延伸的字线，使得字线覆盖沿第二方向间隔的多个存储区中的栅极层。本发明简化了水平字线的形成工艺、降低了半导体结构的制造成本、改进了半导体结等。我将继续。

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第一导电层与栅极介电层的侧面接触。第二导电层位于相邻的有源柱之间。第一导电层位于栅介质层和第二导电层之间，第二导电层设置在第一导电层的侧面周围。本发明实施例提供的半导体结构及其制备方法至少可以提高字线的控制能力。本文源自金融，稍后介绍。

看看结构是什么。第一级提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：阵列区和围绕阵列区的分隔区；阵列区包括沿第一方向延伸的部分位线和沿第一方向延伸的部分线。部分字线沿两个方向延伸；隔离区包括与阵列区的至少一侧相邻的引出区，并且字线和/或位线也位于引出区中。隔离区包括浅沟槽隔离结构、浅沟槽隔离结构等。

目标栅极沟槽沿第二方向延伸的侧壁包括由内向外依次层叠的第一子侧壁和第二子侧壁。在目标栅极沟槽内部形成沿第二方向间隔设置的目标半导体层的两个栅极结构。本发明至少可以增加单个存储单元结构中栅极结构和字线结构的厚度，而不会减少单位体积的存储单元数量。我会继续。

看一下部首这个词的结构。 X轴方向与Y轴方向垂直；形成覆盖接触孔的金属线。接触孔位于字线与金属线之间，并分别接触字线与金属线。其中，接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积。上述字线引出结构中，通过使接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积，可以减少字线引出结构的接触。

观察目标半导体层位于栅沟槽内的部分露出并悬空；在栅极沟槽中形成围绕目标半导体层的栅极结构。本发明实施例在不减少单位体积的存储单元数量的情况下，至少可以增加字线结构占用的空间体积以及相邻字线结构之间的间距，并且可以控制所连接的晶体管的栅极结构的尺寸。到字线结构。本文源自金融，稍后介绍。

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看看是什么结构。该半导体结构包括：衬底以及字线结构。其中，字线结构包括：功函数堆叠结构，位于基板内。功函数堆叠结构包括依次交替堆叠的多个第一功函数层。第二功函数层，第一功函数层的功函数大于第二功函数层的功函数；字线导电层位于基底内且位于功函数堆叠结构的上表面。栅极氧化层位于什么是功函数堆栈。

看看什么是部首和结构。长鑫存储技术有限公司申请了公开号为《半导体结构》CN117316923A。申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明实施例涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：多条字线，沿第一方向延伸并沿第三方向间隔开。多条字线沿第二方向延伸并沿第三方向排列。三个方向间隔很好，对吗？

看看它属于什么结构。长鑫存储技术有限公司申请了公开号为《半导体结构及形成方法、存储器》CN117677183A。申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法和存储器。本发明的半导体结构包括基板、字线结构、导电接触结构以及缓冲层等等。